[21p-A106-1~18] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[21p-A106-16] 単一結晶相を有する Ni-Germanide 極薄膜の電気特性および電子状態

〇西村 駿介¹、田岡 紀之¹、大田 晃生¹、牧原 克典¹、宮﨑 誠一¹ (1.名大院工)

キーワード：NiGe (Nickel Germanide)、金属薄膜、超薄膜

近年、Pt 等の金属を数 nm まで薄膜化した金属ナノシートを用いた分子センサやトランジスタなどの新たなデバイスに注目が集まっている。前回、SiO2 上に蒸着した厚さ数 nm の Ni/Ge 構造に対し、400°C 1 分間の熱処理を行うことにより、表面平坦かつ単一の結晶相を持つニッケルジャーマナイド(Ni-Ger.)極薄膜を形成できることを報告した。また、Ni と Ge の膜厚を制御することによって、その結晶相を制御できることも報告した。これら単一結晶相で構成された極薄膜の物性はほとんど報告されていない。そこで本研究では、結晶相の異なる Ni-Ger. 極薄膜の電気的特性および電子状態を調べた。