[21p-C105-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

△ [21p-C105-2] 極低温動作MOSFETにおける電子移動度の面方位依存性

〇岡 博史¹、稲葉 工¹、飯塚 将太¹、浅井 栄大¹、福田 浩一¹、加藤 公彦¹、森 貴洋¹ (1.産総研)

キーワード：電子移動度、極低温、クーロン散乱

極低温動作MOSFETでは様々なデバイスパラメータが従来の理論式や経験式から逸脱するため，その物理的理解が進められている．低温での移動度は，クーロン散乱と表面ラフネス散乱に制限される．クーロン散乱移動度の温度依存性は複雑であり，特に極低温下で生じるクーロン散乱の起源を検証した例は限定的である．本研究では面方位の異なる極低温動作MOSFETを用いて，界面欠陥が極低温下で電子移動度に与える影響を調べた．