[21p-C105-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[21p-C105-9] 低温下でのC-V測定によるInAs MOS界面の界面準位密度の評価

〇(M2)吉津 遼平¹、隅田 圭¹、トープラサートポン カシディット¹、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東大院工)

キーワード：半導体、InAs、MOSFET

高周波C-V曲線を用いたInAs MOS界面における界面準位密度(D_it)の正確な評価方法を実験的に検討した。界面準位応答の抑制のために低温測定を行ったほか、酸化膜容量の推定精度・分布関数・スロートラップによるヒステリシスが高周波C-V（Terman）法で評価したD_itに与える影響を検討した。その結果、D_itの正確な評価には、40K以下の温度と狭い電圧範囲でのC-V測定が不可欠であると判明した。