[21p-C106-1~11] 6.5 表面物理・真空

[21p-C106-3] n-GaAs 表面における光励起キャリアの第一原理計算理論

〇大内 涼雅¹、草部 浩一²、北谷 基治²、福本 恵紀³、石田 邦夫⁴ (1.阪大院基礎工、2.兵県大理、3.高エネ研、4.宇都宮大工)

キーワード：半導体、GaAs、第一原理計算

TR-PEEM(フェムト秒波長可変光源を用いた光電子顕微鏡)と呼ばれる新規の実験手法においてp型半導体のGaAs表面上において正孔寿命が変化していると見られる現象が確認されている．本研究はその現象を第一原理計算を用いてバンド計算や仕事関数，ワニエ関数などを決定し，スラブのGaAsを表す Tight Binding Model を構築し，この説明を実験事実に基づき裏付けることを目的としている.