2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.12 半導体光デバイス(旧3.13)

[21p-C301-1~10] 3.12 半導体光デバイス(旧3.13)

2022年9月21日(水) 13:30 〜 16:15 C301 (C301)

荒井 昌和(宮崎大)、下村 和彦(上智大)

15:15 〜 15:30

[21p-C301-7] 電解めっき白金黒触媒を担持した3接合Ⅲ-V族太陽電池の水素生成反応

〇(M1)高田 悠史1、藤田 凌太朗1、渋谷 大河1、太田 恵介1、内田 史朗1 (1.千葉工大)

キーワード:人工光合成

多接合太陽電池を用いた人工光合成による水素製造の研究が注目されている。この研究では、三接合太陽電池(InGaP / InGaAs / Ge)にめっき前処理を行った。電極幅とS.L.(Shadowing Loss)の効率的な水分解のための条件を調べるために、白金黒電解めっきにより電極幅を拡大させた。電極幅が40.5μm(S.L = 27.4%)と32.1μm(S.L = 19.62%)の2つのサンプルを準備した。これらの2つのサンプルは、平均電流密度と太陽から水素への変換効率(STH)がそれぞれ5.76 mA / cm2(STH = 2.1%)と7.30 mA / cm2(STH = 4.9%)であることを示した。この結果から、水素製造触媒として機能する白金黒の表面積が大きいほど、水素製造効率が低下することを示していた。