[21p-P12-1~54] 17 ナノカーボン(ポスター)

[21p-P12-14] 多層グラフェンの電流印加層交換成長における昇温速度依存性

〇土田 龍太郎¹、上野 和良^1,2 (1.芝浦工大(SIT)、2.ｸﾞﾘｰﾝｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽ国際研究ｾﾝﾀｰ)

キーワード：グラフェン

多層グラフェン(MLG: multi-layer graphene)は、低抵抗で電流密度耐性の高い導電材料として、デバイスの電極や配線への応用が期待されている。我々は、C/Ni構造からの固相析出において、基板加熱に加えて電流をNi触媒層に流すことで、析出するMLGの結晶性が改善することを報告した。本研究ではC/Ni構造を用いた成膜において電流を印加し、さらに電流印加に伴う基板温度上昇の速度を変化させることによりMLG膜の形成にどのような影響を与えるか調べた。