[21p-P15-1~6] 6.1 強誘電体薄膜

[21p-P15-3] ALD法によりGa₂O₃基板上に作製したHf_xZr_1-xO₂薄膜の結晶化過程

〇内藤 圭吾¹、山口 晃一²、吉村 武¹、藤村 紀文¹ (1.阪公大工院、2.阪府大工)

キーワード：ハフニニウム系強誘電体、酸化ガリウム

Ga₂O₃は、次世代パワー半導体SiCやGaNとバリガの性能指数を比較すると、SiCの10倍、GaNの4倍であることから、次世代パワー半導体として期待されている。しかし、室温でのp型キャリアの活性化が難しく、本研究室では、ゲート絶縁膜にHfO₂系の強誘電体を用いることで、その巨大な自発分極によってアクセプタを活性化することが可能かどうかに着目した検討を推進している。今回は、原子層堆積法(ALD法)を用いたGa₂O₃基板上でのHf_xZr_1-xO₂薄膜成長と結晶化プロセスについて上部電極の有無、製膜後に行う結晶化アニールの効果に関して検討を行った。