[22a-C202-1~7] 6.4 Thin films and New materials

[22a-C202-4] Preparation of anti-perovskite nitride Mn₃(Sn,Bi)N epitaxial thin films using PLD

〇Takahiko Kawaguchi¹, Tomoharu Shirai¹, Naonori Sakamoto¹, Hisao Suzuki¹, Naoki Wakiya¹ (1.Shizuoka Univ.)

Keywords:PLD, nitride, Kagome lattice

近年、Mn₃Snなどのカゴメ格子反強磁性体において、巨大異常ホール効果の発現が報告されている。逆ペロブスカイト型窒化物Mn₃ANもカゴメ格子反強磁性体となることから、異常ホール効果の発現が期待される。我々はこれまでに、Mn₃(Sn,Bi)N粉末の合成に取り組んできたが単相粉末の作製には至っていない。そこで本研究では、PLD法という非平衡プロセスを利用することで、Mn₃(Sn,Bi)N単相試料の作製を試みたので報告する。