[22p-B204-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [22p-B204-1] スパッタSiO₂成膜によるSiO₂/GaN MOS界面のGaO_x層抑制

〇(B)大西 健太郎¹、小林 拓真¹、溝端 秀聡¹、野﨑 幹人¹、吉越 章隆²、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.大阪大学、2.原子力機構)

キーワード：窒化ガリウム、MOS、半導体

GaNパワーデバイスの実現には，高品質MOS構造の形成が不可欠である。我々は，プラズマCVD法によりSiO₂/GaN MOS構造を形成すると界面にGaO_x層が成長し，後熱処理への安定性劣化を報告してきた。界面GaO_x層抑制には，SiO₂のスパッタ成膜が有効と予測され，実際にスパッタSiO₂/GaN構造の電気的特性は後熱処理に対して安定であることを見出している。そこで本研究では，実際にスパッタ成膜が GaO_x 層を抑制できているか放射光 X 線光電子分光法により検証した。