[22p-C205-1~15] CS.1 2.3 加速器質量分析・加速器ビーム分析 、7.5 イオンビーム一般のコードシェア

[22p-C205-6] [講演奨励賞受賞記念講演] 窒化シリコン膜の低損傷かつ原子層制御を実現するGCIBエッチングプロセスの検討

〇竹内 雅耶¹、藤原 怜輝¹、豊田 紀章¹ (1.兵県大工)

キーワード：クラスターイオンビーム、X線光電子分光、原子層エッチング

近年、液体サンプルを封止するための“溶液セル”を用いることで、液体の光電子分光（XPS）測定が可能となっている。この光電子透過窓（SiNx）を数nmまで極薄化することにより光電子の検出感度の向上が期待できる。一方真空中で溶液を封止するために1気圧以上の耐圧性も要求される。本研究では、低損傷照射効果が可能なGCIBを用いたSiNx膜の原子層エッチングにより、SiNx膜の耐圧性を保持した状態での極薄化を目指す。