[23a-A202-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

△ [23a-A202-4] マルチフィンガー構造の導入による2DHGダイヤモンドMOSFETsゲート幅拡大と高周波特性の改善

〇(B)長 幸宏¹、荒井 雅一¹、高橋 輝¹、浅井 風雅¹、鈴木 優紀子¹、平岩 篤¹、川原田 洋^1,2 (1.早大理工、2.早大材研)

キーワード：ダイヤモンド、高周波、MOSFET

FETの出力電力向上には実電流の増大が不可欠である。本研究ではマルチフィンガー構造のゲートを導入した2DHGダイヤモンドMOSFETsを作製し、フィンガー数を増加させてゲート幅を拡大した。本構造では自己発熱による影響が小さく、ドレイン電流密度を維持したまま、ゲート幅拡大に比例した実電流の増大が実現された。また本構造ではゲート幅を拡大してもゲート抵抗が増大しないため、ゲート幅1mmでの良好な高周波特性も実現された。