09:45 〜 10:00 △ [23a-A202-4] マルチフィンガー構造の導入による2DHGダイヤモンドMOSFETsゲート幅拡大と高周波特性の改善 〇(B)長 幸宏1、荒井 雅一1、高橋 輝1、浅井 風雅1、鈴木 優紀子1、平岩 篤1、川原田 洋1,2 (1.早大理工、2.早大材研)