[23a-A401-1~6] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[23a-A401-4] 新規液体原料（Zn(Cp^pm)₂）によるZnO薄膜の原子層堆積

〇水谷 文一¹、水井 誠¹、高橋 伸尚¹、井上 万里²、生田目 俊秀² (1.高純度化学研究所、2.NIMS)

キーワード：原子層堆積、酸化亜鉛、新規前駆体

ワイドギャップ半導体であるZnOは、透明導電膜や発光デバイスの材料として研究されている。ZnO薄膜をALDによって形成する際のZn原料としては、ジエチル亜鉛（DEZ）が広く検討されているが、DEZは自然発火性で、取り扱いに注意を要する。ここでは、自然発火性のないALD用Zn原料として、ビス（n-プロピルテトラメチルシクロペンタジエニル）亜鉛を用いたALDについて検討した結果を報告する。