[23a-B204-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[23a-B204-10] AlGaN/GaN MIS-HEMTにおけるリセス構造形成後表面処理の効果

〇(M2)戸田 圭太郎¹、久保 俊晴¹、江川 孝志¹ (1.名工大)

キーワード：窒化ガリウム、原子堆積法、高電子移動度トランジスタ

MIS-HEMTに用いる絶縁体としては、Al₂O₃やSiO₂のようにバンドギャップが大きい酸化物が適しており、特にAl₂O₃とSiO₂を用いて2層絶縁膜を形成することにより、I/Sの界面特性が良く、I_gの低いMIS構造を作製することができる。
本研究では、リセス構造形成時のエッチングダメージを軽減することを目的とし、リセスエッチング後にHCl処理とアニール処理を行ったSiO₂/Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTを作製し、表面状態と電気特性を評価した。