[23a-B204-1~11] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[23a-B204-9] Evaluation of GaN/GaN bonding interfaces fabricated by Surface-activated bonding

〇(M2)Kazuki Sawai¹, Jianbo Liang^1,2, Yasuo Shimizu³, Yutaka Ohno³, Yasuyoshi Nagai³, Naoteru Shigekawa^1,2 (1.Osaka City Univ., 2.Osaka Metropolitan Univ., 3.IMR Tohoku Univ.)

Keywords:Surface-activated bonding, Gallium nitride

GaNは自発分極電荷の符号が異なるGa-faceとN-faceを有する。分極を反平行にした接合を形成することで分極によるバンド構造の変化がより顕著に表れると考えられる。本研究では表面活性化接合法により自立GaN基板を用いてGa-face同士及びN-face同士の接合を作製した。講演ではSTEM観察及び、I-V-T測定によって接合界面を評価した結果について議論する。