The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[23a-B204-1~11] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

Fri. Sep 23, 2022 9:00 AM - 12:00 PM B204 (B204)

Kozo Makiyama(Sumitomo Electric Industries, Ltd.)

11:30 AM - 11:45 AM

[23a-B204-10] Effect of surface treatment on AlGaN/GaN MIS-HEMTs after forming the recess structure

〇(M2)Keitaro Toda1, Toshiharu Kubo1, Takashi Egawa1 (1.NITech)

Keywords:GaN, ALD, HEMT

MIS-HEMTに用いる絶縁体としては、Al2O3やSiO2のようにバンドギャップが大きい酸化物が適しており、特にAl2O3とSiO2を用いて2層絶縁膜を形成することにより、I/Sの界面特性が良く、Igの低いMIS構造を作製することができる。
本研究では、リセス構造形成時のエッチングダメージを軽減することを目的とし、リセスエッチング後にHCl処理とアニール処理を行ったSiO2/Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTを作製し、表面状態と電気特性を評価した。