11:30 AM - 11:45 AM
[23a-B204-10] Effect of surface treatment on AlGaN/GaN MIS-HEMTs after forming the recess structure
Keywords:GaN, ALD, HEMT
MIS-HEMTに用いる絶縁体としては、Al2O3やSiO2のようにバンドギャップが大きい酸化物が適しており、特にAl2O3とSiO2を用いて2層絶縁膜を形成することにより、I/Sの界面特性が良く、Igの低いMIS構造を作製することができる。
本研究では、リセス構造形成時のエッチングダメージを軽減することを目的とし、リセスエッチング後にHCl処理とアニール処理を行ったSiO2/Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTを作製し、表面状態と電気特性を評価した。
本研究では、リセス構造形成時のエッチングダメージを軽減することを目的とし、リセスエッチング後にHCl処理とアニール処理を行ったSiO2/Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTを作製し、表面状態と電気特性を評価した。