11:15 〜 11:30 [23a-B204-9] 表面活性化接合法によるGaN/GaN接合界面の評価 〇(M2)澤井 一樹1、梁 剣波1,2、清水 康雄3、大野 裕3、永井 康介3、重川 直輝1,2 (1.大阪市大院工、2.大阪公大院工、3.東北大金研)