[23a-B204-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[23a-B204-3] 選択成長法を用いた GaN FinFET の作製：成長窓形成プロセス改善

〇久恒 悠介¹、太田 貴士¹、佐々木 満孝¹、高橋 言緒²、井手 利英²、清水 光聡²、星井 拓也¹、角嶋 邦之¹、若林 整¹、筒井 一生¹ (1.東京工業大学、2.産業総合技術研究所)

キーワード：窒化ガリウム、FinFET、選択成長