[23a-C101-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

△ [23a-C101-2] 熱電素子応用に向けたSi₃N₄絶縁膜上BaSi₂膜の作製および評価

〇木戸 一輝¹、長谷部 隼¹、幸田 陽一朗²、召田 雅実²、都甲 薫¹、末益 崇¹ (1.筑波大学、2.東ソー株式会社)

キーワード：BaSi2、スパッタ法、熱電素子