[23a-C200-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [23a-C200-8] フレキシブル発光デバイス実現に向けたGaN:EuナノワイヤLEDの作製

〇大田原 崇也¹、舘林 潤^1,2、吉村 拓真¹、Dolf Timmerman¹、市川 修平^1,3、藤原 康文¹ (1.阪大院工、2.量子情報・量子生命研究センター、3.阪大超高圧電顕センター)

キーワード：ナノワイヤ、発光ダイオード、窒化ガリウム

超スマート社会実現に向けた次世代ディスプレイ技術として、有機金属気相エピタキシャル法によるGaN:Eu/GaNナノワイヤLED構造の成長を行い、フレキシブル発光デバイス実現に向けたデバイス作製の検討を行った。ナノワイヤLEDの成長後、フレキシブル樹脂を用いてナノワイヤ発光デバイス構造を作製した。電流電圧特性からは整流性が確認できており、電流注入によりEuイオンに起因する発光を室温にて観測した。