[23a-P06-1~28] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

[23a-P06-2] ミスト化学気相成長法コランダム構造酸化ガリウム薄膜のガス種による双晶形成への影響

〇(M2)山田 梨詠¹、小林 篤²、上野 耕平²、関口 敦¹、尾沼 猛儀¹、本田 徹¹、藤岡 洋²、山口 智広¹ (1.工学院大、2.東京大)

キーワード：酸化ガリウム、ミスト化学気相成長、双晶

近年, コランダム構造酸化ガリウム(α-Ga₂O₃)はバンドギャップエネルギーが大きいことから深紫外検出器への応用に期待されている. α-Ga₂O₃はミストCVD法やHVPE法などの成長手法を用いて得られている. サファイア基板上に直接成長したα-Ga₂O₃において面内方位制御された単結晶膜の報告がなされているが, 双晶がわずかに混在して成長することも報告されている. 本研究では, α-Al₂O₃基板上α-Ga₂O₃のミストCVD成長においてガス種(O₂またはN₂)による双晶の形成への影響を検討した.