2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

[23a-P06-1~28] 21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

2022年9月23日(金) 09:30 〜 11:30 P06 (体育館)

09:30 〜 11:30

[23a-P06-9] スパッタエピタキシー法によるZnO単結晶層の成長(Ⅴ)

木村 日向1、三澤 亮太1、吉田 圭佑1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)

キーワード:スパッタ、ZnO、酸化亜鉛

我々は,UHVスパッタエピタキシー法を用いてオフ角の異なるサファイア基板上にZnO層の成長を行ってきた.α-Al2O3(0001)基板(オフ角:0.2 º,0.02 º )上に成長したZnO層のXRDパターンから,オフ角が0.2 ºにおいて優れた結晶性を有していることが解った.しかし,p型の伝導性を有したZnO層の実現には至っていない.そこで,Nドープによるp型化を目的に,反応ガスのArにN2を添加させてZnO層の成長を行ったのでその結果について検討した.