[23p-A202-1~16] 6.2 カーボン系薄膜

[23p-A202-5] 窒素ドープによるNVセンターの電子スピン特性への影響

〇(D)木村 晃介^1,2、小野田 忍²、Sailer Roberto³、Joas Timo³、Said Ressa³、山田 圭介²、加田 渉¹、寺地 徳之⁴、磯谷 順一⁵、小菅 臨^1,2、馬場 智也^1,2、Jelezko Fedor³、花泉 修¹、大島 武² (1.群馬大、2.量研、3.ウルム大、4.物材機構、5.筑波大)

キーワード：NVセンター、量子ビット、イオン注入

ダイヤモンド中の窒素・空孔(NV)センターは、室温で優れた磁気光学特性を持つ量子ビットとして知られている。我々は、NVセンターを量子レジスタとして応用する手法として、有機化合物イオン注入法の開発を行ってきた。前回の発表では、有機化合物イオンであるフタロシアニン(C₃₂N₈H₁₈)イオン注入により形成されたNVセンターのコヒーレンス時間(T₂)が短いという課題を示した。ダイヤモンド内の窒素不純物濃度を変えることでT₂の向上を試みた。