[23p-B204-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [23p-B204-5] 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される電子トラップのSi濃度依存性

〇遠藤 彗¹、堀田 昌宏^1,2、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：窒化ガリウム、n-GaN、深い準位

GaNにおける深い準位について理解を深めるべく，我々は，GaN中に窒素原子変位を意図的に発生させ，形成される深い準位との相関を調べることに取り組んでいる．これまで，電子トラップEE1 (E_C – (0.06-0.20) eV)の起源は窒素空孔である可能性が高いことが報告されていた．今回，Si濃度を様々に変化させたn-GaNショットキーバリアダイオードに対して137 keVの電子線照射を行うことで，EE1が4つの近接した準位EE1A～Dで構成されていること，EE1Dの密度がSi濃度依存性をもつことを明らかにした．EE1Dの起源は窒素原子変位関連欠陥とSiで構成される複合欠陥であると推察される．