[23p-B204-1~9] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

△ [23p-B204-6] Correlation between non-ionizing energy loss and production rates of electron traps formed by various energetic particles in gallium nitride

〇Keito Aoshima¹, Masahiro Horita^1,2, Jun Suda^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:displacement related defect, production rate, NIEL

高エネルギー粒子線によって物質中に形成されるトラップの生成レートは、粒子線による電子デバイスの特性劣化を予測するために重要である。粒子線が結晶原子のはじき出しにより損失するエネルギーはNIELにより定量化される。本研究では、様々な粒子線照射によってn型GaN中に形成されたトラップの生成レートをNIELの観点から比較することで、トラップの起源の特定および粒子線の種類やエネルギーによらない生成レートの予測を目指した。