[23p-B204-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[23p-B204-7] 超低濃度Siイオン注入GaNにおけるトラップ密度深さ方向分布のアニール温度依存性

〇井口 紘子¹、堀田 昌宏^1,2、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：窒化ガリウム、点欠陥、イオン注入

n型エピタキシャル成長層に対してその実効ドナー密度の1/10以下の超低濃度Siをイオン注入した後に900~1100℃でアニールを行うことにより、イオン注入領域中にドナー型欠陥が形成されることを前回報告した。今回はDLTS法により超低濃度Siイオン注入試料のトラップ準位ならびにその密度の深さ方向分布を調べた結果について報告する。