[23p-C102-1~14] 13.3 絶縁膜技術

[23p-C102-3] MONOS型不揮発性メモリ素子の電荷捕獲膜に注入された電子と正孔のチャージセントロイドの決定（Ⅲ）

〇松本 明莉¹、小林 清輝¹ (1.東海大院工)

キーワード：シリコン窒化膜、集積回路、不揮発性メモリ

シリコン窒化膜の電荷トラップに捕獲されたキャリヤによってゲート電極に誘起される電荷の密度Q_hi,g用いる方法を提案した。この方法を用いて、MONOS型素子に捕獲されたキャリヤのチャージセントロイドを求めた。