[23p-C102-1~14] 13.3 Insulator technology

△ [23p-C102-4] Carrier trapping characteristics of nonvolatile memory using fluoographene

〇(M1)Rino Kawashima¹, Hiroshi Nohira¹, Ryousuke Ishikawa¹, Yuichiro Mitani¹ (1.Tokyo City Univ.)

Keywords:fluorographene, charge centroid

2次元材料のグラフェンにフッ化処理を加えると、その性質は導体膜から絶縁膜から絶縁膜へと変化する。フッ化グラフェンを電荷捕獲層に用いたフレキシブル不揮発性メモリが提案され、動作することが既に報告されている。しかし、フッ化グラフェンへの電荷捕獲のメカニズムは十分に明らかにされていない。そこで本研究では、フッ化グラフェンを挿入したMISキャパシタを試作し、電気特性から電荷捕獲について詳細な検討を行った。