[22p-E204-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [22p-E204-11] GaO_xメモリスタの抵抗スイッチング特性評価

〇(M2)佐藤 健人¹、林 侑介¹、藤平 哲也¹、酒井 朗¹ (1.大阪大基)

キーワード：メモリスタ、酸化ガリウム

酸化ガリウムはSiに比べおよそ4倍の広いバンドギャップをもつことから高温下での動作が期待できる。また、バルク型伝導の伝導であることから、動作が決定的であり、素子の結晶状態がアモルファスであることから基板選択の自由度も高く室温での蒸着が可能である。本研究では、Pt/GaO_x/ITO/glass構造を持つキャパシタ型メモリスタデバイスを作製し、高温環境下における抵抗スイッチング動作の実現と電気伝導機構評価を目指した。