[22p-E302-1~15] CS.9 Code-sharing Session of 13.7 & 15.6

△ [22p-E302-8] C-Si bonded 2DHG Diamond MOSFETs ;
Normally-off Characteristics at Low Temperature (10 K) and Wide Temperature Stability (10-573 K)

〇(M2)Yuta Nameki¹, Te Bi¹, Jun Tsunoda¹, Naoya Niikura¹, Masakazu Arai¹, Atsushi Hiraiwa^1,2, Hiroshi Kawarada^1,3 (1.Waseda Univ., 2.Nagoya Univ., 3.Kagami Memorial Research Inst. for Materials Science and Tech.)

Keywords:Wide Bandgap Semiconductor, Diamond, Low Temperature Characteristics

ダイヤモンドは、高性能パワーデバイスを実現できる次世代ワイドバンドギャップ半導体材料である。我々はH終端（C-H）表面で誘起される2次元正孔ガスを利用したFETを報告してきた。しかし、水素終端ダイヤモンド表面上のALD-Al₂O₃ゲート絶縁膜は密着性が乏しいという問題がある。この問題を解決できるダイヤモンド-SiO₂界面のC-Si結合をpチャネルとして使用し、C-SiダイヤモンドMOSFETを作製した。その結果、高い移動度と低温におけるノーマリーオフ動作を達成した。