[23a-E204-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[23a-E204-10] 高温強磁性半導体GdOエピタキシャル薄膜の結晶性と物性の改善

〇深沢 崇人¹、岡 大地¹、神永 健一²、齋藤 大地¹、清水 宙一¹、福村 知昭^1,3,4,5 (1.東北大院理、2.東北大院工、3.東北大AIMR&CRC、4.東北大CSIS、5.東北大CSRN)

キーワード：強磁性半導体、エピタキシャル薄膜、パルスレーザー堆積法