[23p-E303-1~15] 3.12 ナノ領域光科学･近接場光学

△ [23p-E303-15] GaN上熱励起エバネッセント波のパッシブ近接場計測

〇佐久間 涼子¹、林 冠廷²、木村 文信^1,2、梶原 優介^1,2,3 (1.東大工、2.東大生研、3.JSTさきがけ)

キーワード：パッシブ型近接場顕微鏡、熱励起エバネッセント波、表面フォノンポラリトン

物質表面上では電子振動等のミクロなダイナミクスが起因し，熱励起エバネッセント波(波長8 – 20 μm)が発生している．近年，外部光源を用いないパッシブ型THz近接場顕微鏡(s-SNOM)が開発され，熱励起エバネッセント波の高空間分解能計測を可能にした．本研究では，パッシブ型THz s-SNOMを用いてAuとGaN上のパッシブ近接場計測を実施した．GaN上の近接場信号減衰特性の評価から，表面フォノンポラリトンの発生をパッシブに確認したので報告する．