[23p-E307-1~20] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[23p-E307-13] 極低温200 nm SOI-FETで発生するサブスレッショルド領域における電流振動現象

〇(M1)杉井 辰吉¹、森 貴之¹、岡 博史²、森 貴洋²、井田 次郎¹ (1.金沢工大、2.産総研)

キーワード：半導体、SOI-MOSFET、極低温

量子コンピュータのさらなる多量子ビット化に向け、そこで発生する配線ボトルネックを解消する目的で、Cryo-CMOSの研究開発が活性化している。我々も、商用プロセスによるSOI-FETを用いて極低温での特性評価に着手した。ここでは、ラピス・セミコンダクタ社の200nm SOI-FETを使い、300 Kから2.5 Kまでの各温度域での特性評価を行い, 極低温ではサブスレッショルド領域において電流が振動する現象を確認したので報告する.