[23p-P12-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[23p-P12-1] (Al_xGa_1-x)₂O₃混晶の構造安定性および混和性に関する理論的検討

〇(M1)藤田 柊理¹、秋山 亨¹、河村 貴宏¹、伊藤 智徳¹ (1.三重大院工)

キーワード：酸化ガリウム、超ワイドバンドギャップ半導体