[23p-P12-1~14] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[23p-P12-3] P-type a-plene ZnO:N thin films grown by MBE on r-sapphire substrates

〇(M1)Tsunataka Hagiwara¹, Koji Irie¹, Keno Goto¹, Kazuki Hata¹, Tomoki Abe¹, Kunio Ichino¹, Kazuaki Akaiwa¹ (1.Tottori Univ.)

Keywords:p-type ZnO:N, Radical source MBE, Non-polar a-ZnO:N

MBE法による非極性面であるa面ZnO:Nをr面sapphire上にエピタキシャル成長させることで分極による電界の発生を抑えて, アクセプタの取り込み率および活性化率の向上を狙った. 成長温度500℃で4×10¹⁸のp型伝導を得ることができた.