[24p-E102-1~18] 17.1 カーボンナノチューブ，他のナノカーボン材料

△ [24p-E102-5] カーボンナノチューブ構造体へのボロンナイトライド直接合成とメモリスティブな電気特性

〇岸淵 美咲¹、那須 郷平¹、前谷 光顕¹、田中 佑一郎¹、林 靖彦¹、鈴木 弘朗¹ (1.岡大院自然)

キーワード：ファンデルワールスヘテロ、カーボンナノチューブ、ヘキサゴナルボロンナイトライド

カーボンナノチューブ(CNT)バルクスケール構造体のCNT紡績糸やシートに，ヘキサゴナルボロンナイトライド(hBN)の化学気相成長合成を行うことで，hBN/CNTヘテロ構造の作製と特性評価を行った．電流—電圧特性にヒステリシスが現れるメモリスティブな電気特性を発見した．また，繰り返し電流―電圧特性に特異な振る舞いを観測した．発表では，系統的な実験結果と合わせて，メモリスティブな特性の発現メカニズムのモデルについても述べる．