[24p-E103-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[24p-E103-10] シリコン薄膜の流体自己集積技術における集積法の検討

〇(B)藤田 裕¹、石原 翔治¹、田辺 克明¹ (1.京大化工)

キーワード：流体自己集積、半導体

流体自己集積は基板(リリーサ基板)上に作成された薄膜状デバイスを液体中で単離し，標的のホスト基板(レシーバ基板)上に集積させる手法であり，光・電子デバイス製造プロセスに求められる，高性能化のための高密度化・微小化や低コスト化のための生産効率の向上を満足させうる技術である．本研究では，リリーサ基板上に作成した厚さ200 nmのSi薄膜の単離手法の確立と，レシーバ基板への効率的な集積技術について検討を行った．