[24p-E103-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[24p-E103-12] 電子・光デバイス応用に向けた金属/GeSn接合の低温形成

〇清水 昇¹、王 一¹、山本 圭介¹、張 師宇²、中塚 理^2,3、王 冬¹ (1.九大・総理工、2.名大・院工、3.名大・未来研)

キーワード：ゲルマニウムスズ (GeSn)、金属/GeSn接合