[24p-E103-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[24p-E103-16] イオン注入されたCWレーザー結晶化Si薄膜のラマン分光

〇高山 智之¹、佐々木 伸夫^1,2、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大、2.Sasaki Consulting)

キーワード：レーザーアニール、TFT

低温多結晶シリコン(LTPS)は、a-Siと比較して高いキャリア移動度を有するため、薄膜トランジスタ(TFT)のチャネル領域として、高性能ディスプレイデバイスへの活用が期待されている。連続波レーザーラテラル結晶化(CLC)による結晶化Siは高い結晶性を実現可能である。本研究では、CLCにより得られた結晶化に対し、イオン注入及び活性化アニール後の結晶性の変化をラマン分光により評価した。