[24p-E103-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[24p-E103-9] CaF₂上に成膜したSi薄膜の表面平坦性に対するAs照射効果

〇(M1)齊藤 雅高¹、鄭 源宰¹、劉 龍¹、小柳 陽平¹、菅原 大暉¹、渡辺 正裕¹ (1.東工大工)

キーワード：エピタキシャル成長、Si、表面平坦性

フッ化カルシウム(CaF₂)は、シリコン(Si)と結晶構造が類似で格子不整合が小さい(~0.6%)ことから積層エピタキシャル成長が可能であり、Si/CaF₂界面における伝導帯バンド不連続が比較的大きい(1~2.3[eV])特徴を有する。今回、CaF₂上へのSi量子井戸層の結晶成長において、Asのサーファクタント効果によりSiの表面エネルギーが低減化することで、平坦化が促進されたことが示唆された。