[24p-E103-1~17] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

△ [24p-E103-8] Partial depletion SOI transistor using low temperature sputter SiO₂ gate insulator

〇(M1)Masato Ooya¹, Wenchang Yeh¹, Yusaku Magari¹ (1.Shimane Univ.)

Keywords:TFT, single crystal Si thin film

我々はこれまで、マイクロシェブロンレーザービーム走査(μCLBS)法で単結晶Si(c-Si)相応の移動度を持つ薄膜トランジスタ(TFT)を作製したが、S値がLSIトランジスタと比較して劣っていた。TFTは低温プロセスであるため、劣る理由はSi膜、SiO₂ゲート絶縁膜、S/Dドーピング領域が考えられる。今回SOI基板を用いて、S/D領域は高温熱拡散法で形成し、SiO₂ゲート絶縁膜のみを低温プロセスであるスパッタ法で形成したトランジスタを作製し、c-Si TFTと比較した。