[24p-E302-1~16] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[24p-E302-15] SiC MOSFETへの負バイアス下の高い酸化膜電界印加によるV_thの挙動

〇野口 宗隆¹、小山 皓洋¹、岩松 俊明¹、渡邊 寛¹、三浦 成久¹ (1.三菱電機(株) 先端総研)

キーワード：SiC、NBTI、しきい値

本研究では、SiC MOSFETに対して負バイアス下の高い酸化膜電界(E_ox)を印加した際のNBTI特性を評価し、電子及び正孔捕獲の挙動を評価した。初期しきい値電圧からの変化(ΔV_th)とゲート通過電荷量(Q_stress)の関係を検討した結果、負バイアス下の高E_ox印加時にQ_stressが一定量を超えると、ΔV_thの主要因が正孔捕獲から電子捕獲へと変化することを見出した。