[24p-F407-1~17] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[24p-F407-13] ガスクロミック反応によるスイッチングミラー薄膜の電気伝導および熱伝導率の制御

〇重里 有三¹、杉本 皓輔¹、八木 浩樹¹、柏木 誠¹、山下 雄一郎²、八木 貴志²、竹歳 尚之² (1.青学大理工、2.産総研)

キーワード：スイッチングミラー材料、ガスクロミズム、熱スイッチ

可逆的な水素化・脱水素化によって金属と半導体の間で変化するスイッチングミラー薄膜に注目し、電気特性・光学特性と熱伝導率のin-situ解析を行った。ガスクロミック反応によるY-Mg並びにNi-Mg薄膜の熱伝導率の変化を裏面加熱・裏面測温型パルス光加熱ピコ秒サーモリフレクタンス法で解析し、熱伝導率と電気伝導率との相関関係を明らかにした。