[24p-F407-1~17] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[24p-F407-16] 間接遷移半導体GaP表面マイクロストライプ構造における輻射スペクトルの構造依存性

〇林 鴻太朗¹、折戸 春樹¹、鈴木 郁也¹、林 伯金¹、今江 勇人¹、Hnin Lai Lai Aye¹、馬 ベイ¹、石谷 善博¹ (1.千葉大院工)

キーワード：GaP、テラヘルツ、フォノン