[25p-E202-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [25p-E202-9] β-Ga₂O₃単結晶へき開シード層を用いたポリマー基板上ZnO薄膜のエピタキシャル成長

〇(D)大賀 友瑛¹、宮﨑 尚²、金子 智^3,1、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大物質理工、2.防大材料、3.神奈川県産技総研)

キーワード：ZnO、エピタキシャル、ポリマー

高結晶・配向なワイドギャップ酸化物半導体薄膜をポリマー上に形成することでフレキシブルデバイスへの応用が期待される。ガラス転移を示すポリマー基板上では、低温での配向制御が必要である。本研究では、フレキシブル基板上における高結晶配向ZnO薄膜の作製を目的とし、β-Ga₂O₃単結晶へき開シード層を用いたポリマー基板上ZnO薄膜の結晶配向成長およびその特性について検討した。