[25p-E203-1~17] 15.4 III-V-group nitride crystals

[25p-E203-2] Fabrication of sputtering-regrown highly degenerate n⁺-GaN ohmic contacts on AlN/Al_0.5Ga_0.5N heterostructure

〇(D)Ryota Maeda¹, Yuto Nishikawa¹, Kohei Ueno¹, Atsushi Kobayashi¹, Hiroshi Fujioka¹ (1.IIS, The Univ. of Tokyo)

Keywords:AlGaN, HEMT, Sputtering

AlGaNに誘起される2DEGへの良好なオーミック接触の形成は困難である。今回我々はソース・ドレイン領域に高濃度縮退n型GaN（degenerate GaN: d-GaN）薄膜をスパッタエピ成長させたAlN/Al_0.5Ga_0.5N HEMT構造を作製した。2種類のTLMパターンを用いて、n⁺-GaNと2DEGとの接触抵抗を計算したところ0.22 Ωmmの値が得られた。これはAlGaN HEMTとしては極めて低い接触抵抗であり、スパッタ法により形成したd-GaN再成長コンタクトは、AlGaN を用いたデバイスの低抵抗化に有望であることが分かった。