[25p-E305-1~18] 6.1 強誘電体薄膜

△ [25p-E305-8] 高Q基板を用いた圧電薄膜/基板構造からの圧電薄膜層のQ値抽出

〇小林 栞^1,2、清水 祐樹^1,2、柳谷 隆彦^1,2,3 (1.早稲田大学、2.材研、3.JST-CREST)

キーワード：圧電薄膜、Q値、ScAlN

スマートフォン向けのRFフィルタで無線バンドが密接しており、高い急峻性(Q値)が要求される。BAWフィルタの急峻性は、圧電薄膜の機械的Q_m値(音響損失)に依存する。
薄膜共振子のQ_m値を測定するためには、基板をエッチング等で除去した薄膜自立構造が必要なため、圧電薄膜自体についてのQ_m値を測定するには、困難が伴う。
本研究では、Q_m値の高い単結晶基板を用いて、ScAlN系などの圧電薄膜のQ_m値を抽出した。