[25p-E305-1~18] 6.1 Ferroelectric thin films

△ [25p-E305-7] Polaliztion of ScAlN piezoelectric film by external applying electric field

〇Naoki Ishii^1,2, Naoya Iwata^1,2, Yohkoh Shimano^1,2, Takahiko Yanagitani^1,2,3 (1.Waseda Univ., 2.ZAIKEN, 3.JST-CREST)

Keywords:Frequency filter, ScAlN, Ferroelectric material

ScAlNは圧電性が大きいことからAlNに代わり、BAWデバイスに使われ始めている分極反転構造を利用したBAWフィルタは単層のものに比べ、耐電力性が優れることが期待され、耐電力性が要求される基地局向けの周波数フィルタに応用できる可能性がある。
ScAlNで分極反転構造を作るにはAl極性とN極性を交互に積層させる必要がある。また近年ScAlNやAlNの強誘電性が発見され、成長後に分極の制御が可能であることが報告された
本報告ではScAlNの強誘電性を利用し、ScAlN薄膜のを分極反転させその前後のGHz帯超音波励振特性を調べた。