[25p-E305-1~18] 6.1 Ferroelectric thin films

△ [25p-E305-8] Extraction of Q factor of piezoelectric thin film layer from piezoelectric thin film/substrate structure using high Q substrate

〇Shiori Kobayashi^1,2, Yuki Shimizu^1,2, Takahiko Yanagitani^1,2,3 (1.Waseda Univ., 2.ZAIKEN, 3.JST-CREST)

Keywords:piezoelectric thin film, Q factor, ScAlN

スマートフォン向けのRFフィルタで無線バンドが密接しており、高い急峻性(Q値)が要求される。BAWフィルタの急峻性は、圧電薄膜の機械的Q_m値(音響損失)に依存する。
薄膜共振子のQ_m値を測定するためには、基板をエッチング等で除去した薄膜自立構造が必要なため、圧電薄膜自体についてのQ_m値を測定するには、困難が伴う。
本研究では、Q_m値の高い単結晶基板を用いて、ScAlN系などの圧電薄膜のQ_m値を抽出した。