[25p-E307-1~15] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[25p-E307-12] 貴金属触媒を用いた湿式選択SiエッチングにおけるHF-H₂O₂濃度比の効果

〇村田 恭輔¹、依岡 拓也¹、白岩 直哉¹、伊藤 健¹、新宮原 正三¹、清水 智弘¹ (1.関西大シス理)

キーワード：MacEtch、TSV、3D-LSI

3D-LSIにおいて，SiのエッチングはSi貫通電極(TSV)を形成するための重要なプロセスである．一般的に，TSVホールの形成にはRIEなどの比較的高コストな乾式プロセスが用いられている．そこで，我々は選択的湿式エッチング法であるメタルアシストエッチング (MacEtch)に着目し，TSVホールの形成を試みた．本研究では，エッチング液の濃度を変化させてMacEtchを行った後のAu触媒とSi基板間の界面をTEMで観察し，エッチング形状の溶液濃度依存性について考察した．